！手残、小白等建议别折腾！

！！谨慎操作，仅提供教程，出现任何问题自行负责！！

！！！本贴只提供教程，具体焊接方法、操作方式自行解决！！！

(资料图片)

1、首先提供内存识别原理图如下，内存识别电路为蓝色虚线框（Memory ID），具体识别线路分别为MEM_ID0、MEM_ID1、MEM_ID2、BOARD_ID3，要更改的也是在这几条线路上。

2、支持内存大小、品牌及识别电阻配置图，板载内存识别是通过拉高或者拉低电压来识别的，如图内0表示拉低电压（即PL），1表示拉高电压（即PH），例如：配置三星单颗4GB（32Gb）颗粒内存需要配置电阻位置为：R47（0）、R58（1）、R46（0）、R48（0），即在对应位置分别焊接上相应规格贴片电阻（0402 11K 5%）即可，此时R56、R49、R55、R57位置留空。

ps：图内标识容量为单颗粒容量，换算单位为：8Gb=1GB 16GB=2GB 32Gb=4GB

3、到这一步后建议拆下主板上的内存颗粒后再进行后续操作（颗粒四角填充有黑胶，拆内存颗粒注意谨慎操作！！！）。改完内存识别电阻后还需要更改颗粒封装识别电阻（SDP、DDP），如下图，具体需要更改位置为E9（R752、R753、R788、R789）、T7（R750、R751、R786、R787）、M9（R765、R771、R781），部分颗粒（如镁光）T7区域不需要配置电阻（NC），留空即可。

贴片电阻信息：E9区域为0402 240R 1%或者0402 0R 5%，T7区域为0201 0R 5%，M9区域为0201 0R 5%及0201 39R 1%

4、改完对应内存识别电阻及封装识别电阻，焊接上对应新内存颗粒，操作及手工没问题就可以装机开机了，首次开机时间略长。

5、下面提供实拍图，已标明具体电阻位置，图内上方两幅图为内存识别电阻区域，下方两幅图为封装识别电阻区域，封装识别电阻区域标识电阻型号为三星4GB颗粒指定型号，非三星4GB颗粒勿直接照图替换。

附1：支持内存颗粒型号：

三星：

颗粒型号 K4AAG165WA-BCWE 单颗大小2GB 内存容量8GB

颗粒型号 K4ABG165WA-MCWE 单颗大小4GB 内存容量16GB

海力士：

颗粒型号 H5ANAG6NCMR-XNC 单颗大小2GB 内存容量8GB

颗粒型号 H5ANAG6NCJR-XNC 单颗大小2GB 内存容量8GB

颗粒型号 H5ANBG6NAMR-XNC 单颗大小4GB 内存容量16GB

镁光：

颗粒型号 MT40A1G16KD-062E:E 单颗大小2GB 内存容量8GB

颗粒型号 MT40A1G16RC-062E:B 单颗大小2GB 内存容量8GB

颗粒型号 MT40A2G16SKL-062E:B 单颗大小4GB 内存容量16GB

附2：评论区置顶有 主板原理图及点位图下载（以上所有原理图均包含），教程看不清的请下载查看。